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01

Application Manual Power Semiconductors

2nd revised edition @SEMIKRON International 2015

ENG

KOR

02

3Level NPC TNPC Topology

AN11-01_3Level NPC TNPC 토폴로지

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03

MiniSKiiP Dual

AN14-02_MiniSKiip Dual 활용, PCB 설계 권장사항 및 시험 결과

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04

Determining Swithing Loss of SEMIKRON IGBT Modules

AN14-03_SEMIKRON IGBT 모듈의 스위칭 손실 결정

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05

Thermal Resistances of IGBT Modules

AN14-04_IGBT 모듈의 열저항-사양 및 모델링

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06

Insulation Coordination

AN14-05_절열조정

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07

IGBT Peak Voltage Measurement and Snubber Capacitor Specification

AN07-06_IGBT 피크 전압 측정 및 스너버 커패시터 사양

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08

IGBT4 CAL4

AN09-01_IGBT4 CAL4

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09

Limits and hints how to turn off IGBTs with unipolar supply

AN14-01_유니폴라 전원을 사용할 때 IGBT를 턴오프 하는 방법의 한계와 힌트

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10

Estimation of Liquid Cooled HeatSink Performance at Different Operation Conditions

AN15-01_다양한 작동 조건에서 수냉식 방열판 성능 추정

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11

How to Read 3L Datasheets

AN15-02_3레벨 데이터 시트 읽는 방법

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12

Effect of Humidity and Condensation on Power Electronics Systems

AN16-01_전력 전자 시스템에 대한 습도 및 결로의 영향

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13

High Voltage Testing

AN16-02_고전압 테스트 방법

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14

Modules in Parallel Operation with Central and Individual Driver Board

AN17-01_전력 전자 시스템에 대한 습도 및 결로의 영향

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15

Switching With Capacitive Cable Load

AN17-02_용량성 케이블 부하로 스위칭

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16

Cosmic Ray Failures in Power Electronics

AN17-03_전력 전자 장치에서 우주선 고장

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17

Thermal Paste Application

AN18-01_써멀 페이스트 적용방법

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18

Thyristor Triggering and Protection of Diodes and Thyristors

AN18-02_사이리스터 트리거링 및 다이오드 및 사이리스터 보호

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19

Gate Driver Configuration and Short Circuit Protection for 3-Level Topologies

AN19-01_3레벨 토폴로지를 위한 게이트 드라이버 구성 및 단락 보호

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20

Introduction of new IGBT Generation 7

AN19-02_새로운 7세대 IGBT

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21

Calculating Junction Temperature using a Module Temperature Sensor

AN20-01_모듈 온도센서를 이용한 정션온도 계산방법

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22

Field-Testing of Power Semiconductor Modules

AN20-03_전력 반도체 모듈의 필드테스트

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23

Influence of DC-Link Inductance on Switching Performance and Power Losses

AN20-04_DC링크 인덕턴스 영향에 따른 스위칭 성능 및 전력손실

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24

Power Cycle Model for IGBT Product Lines

AN21-01_IGBT 제품라인에 따른 수명계산 방법

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25

Dynamic Characterization of SiC Diodes

AN22-01_SiC 다이오드의 동적 특성

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